AMB基板:满足严苛功率电子应用的高性能解决方案

Heraeus Electronics Silicone Nitride (Si3N4)
  • Condura™.ultra

    ► 无银 AMB 工艺——无需依赖贵金属,兼具高性能
    ► 高性价比金属陶瓷基板,降低银价波动带来的成本影响
    ► 导热系数 ≥ 80 W/m∙K,弯曲强度 ≥ 700 MPa

  • Condura™.prime

    ► 经验证的氮化硅 AMB 基板,具备卓越可靠性
    ► 弯曲强度 ≥ 650 MPa,在热循环条件下延长模块使用寿命
    ► 可根据您的具体封装工艺提供定制化表面处理

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为供应链安全而打造

在当前的市场环境下,供应链安全已成为材料选型时需要重点考量的因素。贺利氏电子提供量身定制的采购模式,帮助您根据自身需求灵活规划供应体系。

无论是区域化采购、双供应策略,还是定制化交付模式,我们都能提供完善的供应保障体系,助力 AMB 基板实现稳定、可靠且更具韧性的供应。

Video Interview: Silver-Free AMB Substrates for Reliable Power Modules and Resilient Supply Chains

全球产品经理 Dr. Raghavendra Nunna 在 PCIM Expo 2026 上介绍无银 AMB 产品 Condura™.ultra

Condura™.ultra——无银 AMB 氮化硅基板

Condura™.ultra 是一款无银活性金属钎焊(AMB)基板,在无需依赖贵金属的情况下,具备与传统 AMB 基板相当的高性能。通过在钎焊工艺中去除银元素,Condura™.ultra 可在保持卓越机械性能与热性能的同时,降低您对贵金属价格波动的敏感度。

该产品采用氮化硅(Si3N4)陶瓷制成,导热系数 ≥ 80 W/m·K,弯曲强度 ≥ 700 MPa,并支持 0.30 mm 至 0.80 mm 的铜层厚度。根据需求,可提供非对称钎焊结构;产品可按单片或母板形式交付,母板有效使用面积为 178 mm × 127 mm。表面处理可选:裸铜、整体镀银或局部镀银。

材料特性

特性 数值 单位
弯曲强度 ≥ 700 MPa
断裂韧性 ≥ 6 MPa·m½
导热系数 (@ 20 °C) ≥ 80 W/m·K
热膨胀系数(20–500 °C) typ. 2.6 ppm/K
杨氏模块 (@ 20 °C) ≥ 280 GPa
电气强度 (@ 50 Hz) ≥ 20 kV/mm
电介质电阻率 (@ 20 °C) ≥ 10¹⁴ Ω·cm

Condura™.prime – AMB 氮化硅

Condura™.prime 是贺利氏电子成熟的氮化硅 AMB 基板产品,深受功率模块制造商信赖,适用于对长使用寿命、高功率密度和经验证可靠性有严格要求的应用场景。该产品基于同样高品质的 Si3N4 陶瓷平台打造,可为严苛的功率电子应用环境提供所需的机械强度和热性能。

其导热系数达到 ≥ 80 W/m·K,抗弯强度达到 ≥ 650 MPa,支持 0.30 mm 至 0.80 mm 的铜层厚度。与 AlN 相比,在实现相同热阻的情况下,可采用更薄的陶瓷,从而支持更加紧凑的模块设计。针对不同的封装和互连技术,我们还可提供定制化表面处理。产品可按单片或母板形式交付(可用区域:178 mm × 127 mm)。

材料特性

特性    
弯曲强度 ≥ 650 MPa
断裂韧性 ≥ 6 MPa·m½
导热系数 (@ 20 °C) ≥ 80 W/m·K
热膨胀系数 (20–500 °C) typ. 2.6 ppm/K
杨氏模量 (@ 20 °C) ≥ 280 GPa
电气强度 (@ 50 Hz) ≥ 15 kV/mm
电解质电阻率 (@ 20 °C) ≥ 10¹⁴ Ω·cm